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霍爾離子源,霍爾源

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美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計(jì),高電流低能量寬束型離子源,提供原子等級(jí)的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面,多種型號(hào)滿足科研及工業(yè)、半導(dǎo)體應(yīng)用。

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美國 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列
美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計(jì),高電流低能量寬束型離子源,提供原子等級(jí)的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面,多種型號(hào)滿足科研及工業(yè)、半導(dǎo)體應(yīng)用。霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率,低能量減少離子轟擊損傷表面,寬束設(shè)計(jì)有效提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū)。整體易操作,易維護(hù)。霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源、電子中和器、電源供應(yīng)器、流量控制器 (MFC)等等可以直接整合在各類真空設(shè)備中,例如鍍膜機(jī),load lock、濺射系統(tǒng)、卷繞鍍膜機(jī)等。

美國 KRI 霍爾離子源 eH 特性:
無柵極
高電流低能量
發(fā)散光束 >45
可快速更換陽極模塊
可選 Cathode/Neutralize 中和器

美國 KRI 霍爾離子源 eH 主要應(yīng)用:
輔助鍍膜 IBAD
濺鍍&蒸鍍 PC
表面改性、激活 SM
沉積 (DD)
離子蝕刻 LIBE
光學(xué)鍍膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

例如:
1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍
2. 線上式磁控濺射及蒸鍍?cè)O(shè)備預(yù)清洗
3. 表面處理
4. 表面硬化層鍍膜
5. 磁控濺射輔助鍍膜
7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜

美國 KRI 霍爾離子源 Gridless eH

霍爾離子源 eH 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

eH200

eH400
eH400LE

eH1000
eH1000LE
eH1000LO

eH1000xO2 

eH2000
eH2000LE
eH2000HO    

eH3000
eH3000LO
eH3000MO

Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

Cathode/Neutralizer 

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

HC

HC

HC

電壓

30-300V

50-300V

30-150V

50-300V

30-150V

50-300V

100-300V

50-300V

30-150V

50-250V

50-250V

50-300V

50-250V

電流

2A

5A

10A

10A

12A

5A

10A

10A

15A

15A

20A

10A

15A

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

>45

氣體流量

1-15sccm

2-25sccm

2-50sccm

2-50sccm

2-75sccm

5-100sccm

高度

2.0“

3.0“

4.0“

4.0“

4.0“

6.0“

直徑

2.5“

3.7“

5.7“

5.7“

5.7“

9.7“

水冷

可選

可選

可選

可選

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng) 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.


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