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LINT-208G自動(dòng)型WAFER平坦度測(cè)試儀

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測(cè)量原理

激光干涉法適用范圍

可用于測(cè)量工件尺寸為 Φ2---Φ8INCH)直徑的圓型晶片

測(cè)量精度及量程

1、關(guān)于厚度

厚度量程:100---2000um,測(cè)量精度與 WAFER 表面光潔度有關(guān),即: 測(cè)量重復(fù)精度(砷化鎵等二代半導(dǎo)體類雙拋表面 WAFER):±0.3um ; 測(cè)量重復(fù)精度(碳化硅等三代半導(dǎo)體類研磨表面 WAFER: ±0.5um ; 測(cè)量重復(fù)精度(藍(lán)寶石類單拋表面 WAFER):±0.5um ;

2、關(guān)于平面度/表面形態(tài)參數(shù)測(cè)量精度


測(cè)量精度:±0.06μm 重復(fù)性精度:±0.03μm 分辨率:±0.005μm

像素點(diǎn)數(shù):≥250000 3、分選速度

為了保證不造成對(duì) WAFER 表面造成損傷,研究人員建議的安全分選速度為: 100 /小時(shí)左右。


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