技術(shù)特點(diǎn)：
①采用干濕球溫度控制、升溫溫度控制及濕潤(rùn)飽和控制等三箱控制模式，可滿足IEC60068-2-66、JESDEC-A110、A118規(guī)范要求；
②出色的溫濕度精密控制邏輯，防止待測(cè)品潮濕與結(jié)露的模式選擇；
③壓力值采實(shí)際感應(yīng)偵測(cè)，確保溫度、濕度及壓力值準(zhǔn)確度；
④三道高溫保護(hù)裝置、濕度用水?dāng)嗨Ｗo(hù)與電熱斷水空焚保護(hù)、機(jī)臺(tái)停機(jī)時(shí)自動(dòng)排除飽和蒸氣壓力、氣動(dòng)機(jī)構(gòu)壓力保護(hù)等；
⑤可選購(gòu)多個(gè)BIAS電壓端子，符合JESD22-A110之實(shí)驗(yàn)規(guī)范要求；
⑥濕度自由選擇飽和（99%R.H濕度）與非飽和（75%R.H濕度）自由設(shè)定。
產(chǎn)品參數(shù)：
滿足測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
GB-T 2423.40-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cx：未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
IEC 60068-2-66-1994 環(huán)境試驗(yàn) 第2-66部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cx:穩(wěn)態(tài)濕熱(不飽合加壓蒸汽)
JESD22-A100 循環(huán)溫濕度偏置壽命
JESD22-A101 THB加速式溫濕度及偏壓測(cè)試
JESD22-A102 加速水汽抵抗性-無(wú)偏置高壓蒸煮
JESD22-A108 溫度，偏置電壓，以及工作壽命（IC壽命試驗(yàn)）
JESD22-A110 高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)（HAST）
JESD22-A118 加速水汽抵抗性--無(wú)偏壓HAST(無(wú)偏置電壓未飽和高壓蒸汽)等
舉例：
適用范圍: 該試驗(yàn)檢查芯片及其他產(chǎn)品材料長(zhǎng)期貯存條件下，高溫和時(shí)間對(duì)器件的影響。本規(guī)范適用于量產(chǎn)芯片驗(yàn)證測(cè)試階段的HAST測(cè)試需求，僅針對(duì)非密封封裝（塑料封裝），帶偏置（bHAST）和不帶偏置（uHAST）的測(cè)試。
溫度、濕度、氣壓、測(cè)試時(shí)間
? 通常選擇HAST-96，即：130℃、85%RH、230KPa大氣壓，96hour測(cè)試時(shí)間。
? 測(cè)試過(guò)程中，建議調(diào)試階段監(jiān)控芯片殼溫、功耗數(shù)據(jù)推算芯片結(jié)溫，要保證結(jié)溫不能過(guò) 高，并在測(cè)試過(guò)程中定期記錄。結(jié)溫推算方法參考《HTOL測(cè)試技術(shù)規(guī)范》。
? 如果殼溫與環(huán)溫差值或者功耗滿足下表三種關(guān)系時(shí)，特別是當(dāng)殼溫與環(huán)溫差值超過(guò) 10℃時(shí)，需考慮周期性的電壓拉偏策略。
? 注意測(cè)試起始時(shí)間是從環(huán)境條件達(dá)到規(guī)定條件后開(kāi)始計(jì)算；結(jié)束時(shí)間為開(kāi)始降溫降壓操 作的時(shí)間點(diǎn)。
電壓拉偏
uHAST測(cè)試不帶電壓拉偏， 不需要關(guān)注該節(jié)；
bHAST需要帶電壓拉偏 ，遵循以下原則：
（1） 所有電源上電，電壓：推薦操作范圍電壓（Maximum Recommended Operating Conditions）
（2） 芯片、材料功耗?。〝?shù)字部分不翻轉(zhuǎn)、輸入晶振短接、其他降功耗方法）；
（3） 輸入管腳在輸入電壓允許范圍內(nèi)拉高。
（4） 其他管腳，如時(shí)鐘端、復(fù)位端、輸出管腳在輸出范圍內(nèi)隨機(jī)拉高或者拉低；
