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RPS晶圓干法去膠機(jī)

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一、常規(guī)參數(shù)1.安裝尺寸:1300*2300*2000mm(寬*長(zhǎng)*高)2.設(shè)備參數(shù)配置:三相電壓380V,50/60Hz,總電流不超過(guò)50A;3.設(shè)備部署環(huán)境:萬(wàn)級(jí)淨(jìng)化間,溫度21~23℃,相對(duì)濕度45±5%

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一、常規(guī)參數(shù)

1.安裝尺寸:1300*2300*2000mm(寬*長(zhǎng)*高)

2.設(shè)備參數(shù)配置:三相電壓380V,50/60Hz,總電流不超過(guò)50A;

3.設(shè)備部署環(huán)境:萬(wàn)級(jí)淨(jìng)化間, 溫度21~23℃,相對(duì)濕度45±5%;

4. MTTR/平均故障修復(fù)時(shí)間<4小時(shí),MTBF/平均時(shí)間>250小時(shí),

Uptime/正常運(yùn)行時(shí)間≥92% .

5. Wafer Breakage/碎片率≤1/10000PCs

6.Descum WPH/descum 產(chǎn)能≥90wafers(基於20秒descum工藝時(shí)間程式)

7.base pressure/腔體底壓≤20mTorr;leakage check腔體漏率≤10mtorr/min

8.Partical/顆粒度 :<30ea@0.2um  腔體單次傳片大於0.2um的顆粒增加量小於20顆

9.支持SECS/GEM通訊協(xié)議

二、技術(shù)規(guī)格

2.1設(shè)備規(guī)格

主機(jī)部分

No.

Item/專案

Specification/規(guī)格說(shuō)明

1

Plasma Source

 

RPS Plasma Source/微波等離子源,1000W, 2.45GHz

RF bias(底部射頻偏壓) 600W,13.56MHz

2

Process Chamber

工作臺(tái)chuck溫度範(fàn)圍: 20~50℃;

可選chuck控溫:50~250℃

水冷機(jī)控溫

適合wafer尺寸: 200mm wafer

腔體數(shù)量: 2個(gè) Al 6061 腔體

腔體自動(dòng)門:中國(guó)臺(tái)灣AdvanTorr

3

Gas Supply System

單個(gè)腔體工藝氣路3

MFC品牌:MKS

腔體氣路: O2/N2/Ar,CF4為選配氣體

4

Vacuum System

幹泵: 愛德華

壓力控制: Throttle valve 蝶閥 中國(guó)臺(tái)灣HTC

真空計(jì):Inficon Vacuum Gauge

5

Auto Wafer Transfer  System

上料臺(tái):2 cassette 上料臺(tái),適合 8 inch wafers;

Cassette wafer mapping:晶圓擺放檢測(cè)

VAC Robot; 日本JEL

6

Control System

PC:工業(yè)電腦 Windows系統(tǒng)控制;

操作軟體: 介面友好,圖形化視圖,自動(dòng)保存log檔

7

Safety System

EMO: 三個(gè)急停按鈕

Interlock硬體安全互鎖: 硬體互鎖包括 Power/Temp/Vacuum



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