| 參考價 | ￥ 420000 |
| 訂貨量 | ≥1件 |
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上海伯東代理美國進口 KRI 霍爾離子源 eH 1000, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合中型真空系統(tǒng). 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
KRI 霍爾離子源 eH 1000
上海伯東代理美國進口 KRI 霍爾離子源 eH 1000, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合中型真空系統(tǒng). 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, zui大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便; 無需水冷
• 等離子轉換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術參數(shù):
型號 | eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO |
供電 | DC magnetic confinement |
- 電壓 | 40-300V VDC |
- 離子源直徑 | ~ 5 cm |
- 陽極結構 | 模塊化 |
電源控制 | eHx-30010A |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
- 離子束發(fā)散角度 | > 45° (hwhm) |
- 陽極 | 標準或 Grooved |
- 水冷 | 前板水冷 |
- 底座 | 移動或快接法蘭 |
- 高度 | 4.0' |
- 直徑 | 5.7' |
- 加工材料 | 金屬 |
- 工藝氣體 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安裝距離 | 10-36” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 1000 應用領域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預清洗 Load lock preclean
• 預清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡方式
上海伯東: 羅先生
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