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TE制冷型銦鎵砷探測器

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TE制冷型銦鎵砷探測器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外觀設計, 其中x-1700, 2600,均采用進口二級制冷銦鎵砷探測元件。

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TE制冷型銦鎵砷探測器(DInGaAs)

TE 制冷型銦鎵砷探測器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外觀設計, 其中x-1700, 2600,均采用進口二級制冷銦鎵砷探測元件。

 

TE制冷型銦鎵砷探測器光譜響應度曲線參考圖(虛線為某款國產(chǎn)InGaAs對比曲線):

 

銦鎵砷探測器使用建議:

 DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器均為電流輸出模式的光電探測器,在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前,建議采用I-V跨導放大器ZAMP做為前級放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號;標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號,但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度;

 DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用時,建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度;

 DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用時,由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器,故可不再需要另行選配前置放大器;

 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測,在制冷模式時須使用溫控器(型號:ZTC)進行降溫控制;

TE制冷型銦鎵砷探測器型號列表及主要技術指標:

型號/參數(shù)

DInGaAs1700-TE

DInGaAs2600-TE

光敏面直徑(mm)

3

3

波長范圍(nm)

800-1700

800-2600

峰值響應度(A/W)

0.9

1.2

D*(典型值)

8.4×1013

4.9×1011

NEP(典型值)

3.2×10-15

5.5×10-13

溫控器型號

ZTC

ZTC

探測器溫度(℃)

-40

-40

溫度穩(wěn)定度(℃)

±0.5

±0.5

環(huán)境溫度(℃)

+10~+40

+10~+40

信號輸出模式

電流

電流

輸出信號極性

正(P)

正(P) 

北京卓立漢光儀器有限公司

|

手機:13810146393

聯(lián)系人:賀

電話:86-010-56370168-696

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