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高純二硫化鉬粉末
面議950簡介：高純MoS2粉末高純二硫化鉬粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料
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高純二硫化鉬粉末面議950簡介：高純MoS2粉末高純二硫化鉬粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料
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超高純二硫化鉬粉末
面議950簡介：超高純MoS2粉末超高純二硫化鉬粉末（1g）純度：99.99995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料
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超高純二硫化鉬粉末面議950簡介：超高純MoS2粉末超高純二硫化鉬粉末（1g）純度：99.99995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料
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銅基石墨烯薄膜（5*5cm）
面議950簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
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銅基石墨烯薄膜（5*5cm）面議950簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
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定制單層二硫化鉬-帶電極
面議950簡介：1．將單層硫化鉬轉(zhuǎn)移至襯底（襯底可根據(jù)客戶需求選定）2．邊長gt;15um（三角形）片內(nèi)層數(shù)均勻3．襯底上轉(zhuǎn)移3個（數(shù)量可定制）帶電極的單層硫化鉬樣品4．電極間距：~5um
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定制單層二硫化鉬-帶電極面議950簡介：1．將單層硫化鉬轉(zhuǎn)移至襯底（襯底可根據(jù)客戶需求選定）2．邊長gt;15um（三角形）片內(nèi)層數(shù)均勻3．襯底上轉(zhuǎn)移3個（數(shù)量可定制）帶電極的單層硫化鉬樣品4．電極間距：~5um
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銅基石墨烯薄膜（10*10cm）
面議950簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
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銅基石墨烯薄膜（10*10cm）面議950簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
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紫銅基石墨烯薄膜（1*1cm）
面議950簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm襯底：紫銅層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um量大價格面議
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紫銅基石墨烯薄膜（1*1cm）面議950簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm襯底：紫銅層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um量大價格面議
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PET基底石墨烯薄膜（1*1cm）
面議950簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
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PET基底石墨烯薄膜（1*1cm）面議950簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
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基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硫化鉬
面議950簡介：FullAreaCoverageMonolayerMoS2onc-cutSapphire
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基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硫化鉬面議950簡介：FullAreaCoverageMonolayerMoS2onc-cutSapphire
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基于二氧化硅襯底的全區(qū)域覆蓋單層二硫化鉬
面議950簡介：ThisproductcontainsfullareacoverageMoS2monolayersonSiO2/Sisubstrates.
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基于二氧化硅襯底的全區(qū)域覆蓋單層二硫化鉬面議950簡介：ThisproductcontainsfullareacoverageMoS2monolayersonSiO2/Sisubstrates.
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基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硫化錸
面議950簡介：ThisproductcontainsfullareacoverageReS2monolayersonc-cutsapphiresubstrates.
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基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硫化錸面議950簡介：ThisproductcontainsfullareacoverageReS2monolayersonc-cutsapphiresubstrates.
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