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簡介:晶體尺寸:10毫米電學(xué)性能:半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu):斜方晶系晶胞參數(shù):a=0.4025nm,B=1.117nm,C=1.135nm,α=β=γ=9晶體類型:合成晶體純度:>99.995%表征方法:XRD,...
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簡介:二硫化鈮晶體2H-NbS2(NiobiumDisulfide)晶體尺寸:2毫米電學(xué)性能:金屬,superconductor(Tc~6K),chargedensitywaves(CDW)system...
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簡介:三硫化鈮晶體(99.995%)NbS3晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe...
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簡介:三硫化鈮晶體(99.995%)NbS3晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe...
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簡介:三硫化鐵(磷摻雜)晶體(99.995%)FePS3晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,W...
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簡介:三硫化錳(磷摻雜)晶體(99.995%)MnPS3晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,W...
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簡介:三硫化鎳(磷摻雜)晶體(99.995%)NiPS3晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,W...
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簡介:硫磷化銅(銦摻雜)晶體(99.995%)CuInP2S6晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S...
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簡介:As2S3comesinperfect2:3stoichiometry.
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簡介:Bismuthsulfide(Bi?S?)Developedatourfacilitiesinthelastfive(5)yearstooptimizetheperfectstoichiometr...
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簡介:BismuthlurideSulfide(Bi?Te?.?S?.?)isdevelopedatourfacilities.
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