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精密、低噪聲、2.500V XFET®基準電壓源ADR421

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精密、低噪聲、2.500V XFET基準電壓源ADR421更新:2024-3-20 11:44:52點擊:產(chǎn)品品牌ADI產(chǎn)品型號ADR421產(chǎn)品描述ADR42x系列為精密、第二代外加離子注入場效應管(XFET)基準電壓源,具有低噪聲、高精度和出色的長期穩(wěn)定特性,采用SOIC和MSOP封裝...PDF下載 詢價 申請樣品

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產(chǎn)品介紹
產(chǎn)品型號封裝溫度范圍
ADR421ARMZ8 ld MSOP-40 至 125至
ADR421ARMZ-REEL78 ld MSOP-40 至 125至
ADR421ARZ8 ld SOIC-40 至 125至
ADR421ARZ-REEL78 ld SOIC-40 至 125至
ADR421BR8 ld SOIC-40 至 125至
ADR421BR-REEL78 ld SOIC-40 至 125至
ADR421BRZ8 ld SOIC-40 至 125至
ADR421BRZ-REEL78 ld SOIC-40 至 125至

優(yōu)勢和特點

  • 低噪聲(0.1 Hz至10 Hz)
    ADR420: 1.75 μV峰峰值
    ADR421: 1.75 μV 峰峰值 
    ADR423: 2.0 μV 峰峰值 
    ADR425: 3.4 μV 峰峰值

  • 低溫度系數(shù):3 ppm/°C

  • 長期穩(wěn)定性:50 ppm/1000小時

  • 負載調整率:70 ppm/mA

  • 電壓調整率:35 ppm/V

  • 低遲滯:40 ppm(典型值)

  • 寬工作電壓范圍
    ADR420: 4 V至18 V 
    ADR421: 4.5 V 至18 V 
    ADR423: 5 V 至 18 V 
    ADR425: 7 V 至18 V

  • 靜態(tài)電流:0.5 mA(值)

  • 高輸出電流:10 mA

  • 寬溫度范圍:−40°C至+125°C

產(chǎn)品詳情

ADR42x系列為精密、第二代外加離子注入場效應管(XFET)基準電壓源,具有低噪聲、高精度和出色的長期穩(wěn)定特性,采用SOIC和MSOP封裝。 

利用溫度漂移曲率技術,可以使電壓隨溫度變化的非線性度降至很小。XFET架構能夠為帶隙基準電壓源提供出色的精度和熱滯性能。與嵌入式齊納二極管基準電壓源相比,還能以更低的功耗和更小的電源裕量工作。

ADR42x具有出色的噪聲性能、穩(wěn)定性和精度,非常適合光纖網(wǎng)絡和醫(yī)療設備等精密轉換應用。此外還可利用其調整引腳,在±0.5%范圍內調整輸出電壓,其它性能則不受影響。ADR42x系列分為兩種電氣等級,額定溫度范圍為−40°C至+125°C擴展工業(yè)溫度范圍,提供8引腳SOIC封裝或8引腳MSOP封裝(后者比前者小30%)。

應用

  • 精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

  • 高分辨率轉換器

  • 電池供電儀器儀表

  • 便攜式醫(yī)療儀器

  • 工業(yè)過程控制系統(tǒng)

  • 精密儀器

  • 光纖網(wǎng)絡控制電路

 


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