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LQ-TS 芯片測試高低溫沖擊箱

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芯片測試高低溫沖擊箱是給工業(yè)產(chǎn)品、電子產(chǎn)品做高低溫溫度沖擊實驗用的所以還可以叫溫度沖擊實驗箱或者高低溫沖擊實驗箱。溫度沖擊箱工作原理是由測試室、高溫室和低溫室組成。

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芯片測試高低溫沖擊箱是給工業(yè)產(chǎn)品、電子產(chǎn)品做高低溫溫度沖擊實驗用的所以還可以叫溫度沖擊實驗箱或者高低溫沖擊實驗箱。溫度沖擊箱工作原理是由測試室、高溫室和低溫室組成。試品放置于測試室,高溫室和低溫室內(nèi)不可放置試品只是儲存不同的溫度用來做產(chǎn)品沖擊時用。高溫室內(nèi)的空氣預(yù)熱到一定的高溫溫度;低溫室內(nèi)的空氣預(yù)冷到一定的低溫溫度。當(dāng)進行低溫的沖擊試驗時,低溫室將預(yù)冷的溫度通過空氣吹入測試室;當(dāng)進行高溫的沖擊試驗時,高溫室將預(yù)熱的溫度通過空氣吹入測試室;這樣則能達到不同的溫度沖擊試驗的效果。

芯片測試高低溫沖擊箱的主要技術(shù)參數(shù):

1.內(nèi)箱尺寸:   600*500*500MM(W*H*D)(更大的尺寸或者更小的尺寸都可以致電柳沁定制)。

2. 外部尺寸:    1830*1950*1550 MM(W*H*D)(一般外尺寸會有一點點偏差屬于正?,F(xiàn)象)。

3.試驗箱溫度設(shè)定范圍:-65℃~+150℃。

4.高溫箱溫度設(shè)定范圍: +65℃~200℃。

5. 低溫箱溫度設(shè)定范圍:-10℃~-75℃。

6.降溫時間:      +20℃~-75℃≤60min。

(注:降溫時間為低溫室單獨運轉(zhuǎn)時的性能并非沖擊時間)

試驗方式:試驗時待測物試驗箱里靜靜的擺放著,溫度在高溫箱及低溫箱內(nèi)受試驗條件及控制器指標(biāo)根據(jù)冷熱沖擊要求通過氣體分別把冷熱溫度帶動過來完成交替沖擊的試驗條件。

溫度波動度:   ±0.5℃。

9.溫度均勻度:    ±2.0℃。

(依量測規(guī)范:量測SENSOR置放點,離內(nèi)箱壁內(nèi)尺寸1/10處)。

10.沖擊復(fù)歸時間:-55℃~150℃約需3~5分鐘。

11.試驗箱冷熱溫度轉(zhuǎn)換移動時間:≦10秒。

12.高低溫沖擊恒溫時間各為30分鐘。

13.深圳冷熱沖擊試驗箱試樣限制:本實驗設(shè)備禁止易燃、易爆、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗或儲存;腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗或儲存;生物試樣的試驗或儲存;強電磁發(fā)射源試樣的試驗或儲存。


東莞市柳沁檢測儀器有限公司

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