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Hakuto 離子蝕刻機(jī)伯東公司供應(yīng)

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公司名稱 伯東貿(mào)易（深圳）有限公司
品牌
型號(hào)
所在地 深圳市
廠商性質(zhì) 代理商
更新時(shí)間 2022/7/20 11:57:48
訪問(wèn)次數(shù) 331

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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開(kāi)模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開(kāi)模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴。

伯東公司日本原裝設(shè)計(jì)制造離子蝕刻機(jī) IBE. 提供微米級(jí)刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, 伯東公司已累計(jì)交付約 500套離子刻蝕機(jī).

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Hakuto 離子蝕刻機(jī)
伯東公司日本原裝設(shè)計(jì)制造離子蝕刻機(jī) IBE. 提供微米級(jí)刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, 伯東公司已累計(jì)交付約 500套離子刻蝕機(jī).
伯東公司超過(guò) 50年的刻蝕 IBE 市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)!
離子蝕刻機(jī),離子刻蝕機(jī),IBE
離子刻蝕機(jī) 4IBE 離子刻蝕機(jī) 20IBE 全自動(dòng)蝕刻機(jī) MEL 3100

離子蝕刻機(jī) IBE 主要型號(hào)
伯東提供用于研究分析的小尺寸離子刻蝕機(jī), 用于生產(chǎn)制造的大尺寸離子蝕刻機(jī)以及全自動(dòng)蝕刻機(jī).
配置美國(guó) KRI 考夫曼離子源和德國(guó) Pfeiffer 分子泵.

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離子蝕刻機(jī)特性:
1. 采用美國(guó) KRI 考夫曼型離子源, 保障蝕刻速率和均勻性
2. 干式制程, 物理蝕刻的特性
3. 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
4. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
5. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面.

通 Ar 時(shí), 對(duì)各種材料的刻蝕速率
離子蝕刻機(jī),刻蝕速率

NS 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 視頻

離子刻蝕機(jī) 3-4inch 20IBE 視頻

離子蝕刻機(jī)應(yīng)用
薄膜磁頭 Thin film Magnetic Head, 自旋電子學(xué) Spintronics, MR Sencer
微電子機(jī)械系統(tǒng) MEMS Micro-electromechanical Systems
射頻設(shè)備 RF Devices, 光學(xué)組件 Optical Component, 超導(dǎo)電性 Super Conductivity

Hakuto 日本原裝設(shè)計(jì)制造離子刻蝕機(jī) IBE, 提供微米級(jí)刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套離子蝕刻機(jī). 蝕刻機(jī)可配置德國(guó) Pfeiffer 渦輪分子泵和美國(guó) KRI 考夫曼離子源!

若您需要進(jìn)一步的了解離子蝕刻機(jī)詳細(xì)信息, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生中國(guó)臺(tái)灣伯東: 王小姐

型號(hào)	4 IBE	7.5 IBE	16 IBE	20 IBE-C	MEL 3100
樣品數(shù)量尺寸	4”φ, 1片	4”φ, 1片	6”φ, 1片	4”φ, 6片 6”φ, 4片	3”φ-6”φ,1片
離子束入射角度	0～± 90	0～± 90	0～± 90	0～± 90	-
考夫曼離子源	KDC 40	KDC 75	KDC 160	考夫曼型	-
極限真空度 Pa	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦8x10-5
Pfeiffer 分子泵抽速 l/s	350	350	1250	1250	-
均勻性	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%