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NIL Technology - 納米壓印機(jī)

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 香港電子器材有限公司
  • 品牌
  • 型號(hào)
  • 所在地
  • 廠商性質(zhì) 其他
  • 更新時(shí)間 2021/3/2 19:54:09
  • 訪問次數(shù) 1057

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NIL Technology (NILT) 是一家以制作并經(jīng)銷納米壓印光刻模版為主,集壓印服務(wù)、生產(chǎn)以及咨詢?yōu)橐惑w的專業(yè)技術(shù)公司。 NILT同時(shí)還致力于拓展納米結(jié)構(gòu)的新興應(yīng)用領(lǐng)域,并取得了的成就。我們的模版可以根據(jù)客戶對(duì)所刻圖案的樣式和材料的具體要求進(jìn)行特別加工。
  • 模版的圖案尺寸可在 20nm 以下
  • 大至 150nm 的圓形或方形模版
  • 模版材料:硅,石英,鎳等
  • 適用于各種納米壓印版式的模版

NILT的模版可以廣泛應(yīng)用于不同的領(lǐng)域,例如:
  • 可再生能源
  • 微流體、納流體
  • 發(fā)光二極管和激光器
  • 生命科學(xué),如芯片實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)
  • 光學(xué)
  • 射頻元器件
  • 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
  • 安全系統(tǒng)
  • 半導(dǎo)體

更多以上的應(yīng)用范圍外,請(qǐng)與我們銷售查詢。

 

NILT主要產(chǎn)品包括:

- 熱壓和紫外壓印服務(wù)

- 納米壓印模版

- 納米壓印設(shè)

熱壓和紫外壓印服務(wù)

高分子聚合物中間層壓印技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)納米壓印/熱壓印非平面化的壓印,同時(shí)高分子聚合物中間層的熱塑彈性材料實(shí)現(xiàn)納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移和復(fù)制。可保護(hù)昂貴的母板因多次轉(zhuǎn)印而損壞,同時(shí)用于母板的復(fù)制。

材料方面

 

應(yīng)用方面

 

Silicon NIL 硅納米壓印

硅納米壓印光刻用于熱納米壓印光刻或作為母板聚合物生產(chǎn)。 由客戶提供的一項(xiàng)決議規(guī)定下任何圖案分辨率達(dá)20nm納米和寬比可達(dá)1:10。

微透鏡陣列的定制

與凹形或凸形的微透鏡陣列用于通過熱壓印或注塑生產(chǎn)使用。

熔融石英NIL 壓印

熔融二氧化硅納米壓印光刻用于紫外納米壓印光刻技術(shù)。

NILT提供熔融石英,由客戶的任何模式下低于30nm和寬比可達(dá)1:5。

微流體和LOC墊片

通過熱壓印或注塑定制墊片的鎳生產(chǎn)微流體和實(shí)驗(yàn)室級(jí)芯片(LOC)系統(tǒng)。

Nickel Shims墊片

鎳墊片被用于熱壓印和輥到輥?zhàn)釉O(shè)置。 NILT提供鎳與郵票大小達(dá)600mm x 600mm,厚度降低到50µm。鎳墊片可以用圖形化的微結(jié)構(gòu)和納米結(jié)構(gòu)。

 

 

PDIL 壓印

PDMS是由硅或熔融石英大師鑄造NILT提供的PDMS,分辨率降低到100 nm,具有高寬比可達(dá)1:2。

 

 

聚合物NIL 壓印

聚合物納米壓印光刻是由硅或石英玻璃制成的母板,典型地由熱納米壓印光刻工藝NILT任何聚合物并與客戶的任何模式提供聚合物。小i 分辨率I50nm,縱橫比可以高達(dá)1:3。

 

 

 

65-壓印

熔融二氧化硅和用于紫外線步進(jìn) - 重復(fù)過程。 分辨率下降到50 nm,可定任何模式,縱橫比高達(dá)1:5。

 

 

 

納米壓印模版

Microlens Array 微透鏡陣列
標(biāo)準(zhǔn)印記含有緊密堆積排列為蜂窩形狀與各個(gè)透鏡之間三維交叉點(diǎn)的微透鏡的結(jié)構(gòu)

直線和圓弧工程風(fēng)口

專為一組多功能設(shè)計(jì)擴(kuò)散器的研發(fā)工作,以及對(duì)產(chǎn)品和工藝的開發(fā)。

線柵型偏振Wire Grid Polarizer
理想的生產(chǎn)線柵偏振器的通過納米壓印光刻,用于測(cè)試目的。郵票的特點(diǎn)為 12 mm x 12 mm50 nm的線條和空間的大型活動(dòng)區(qū)域。
光柵
光柵標(biāo)準(zhǔn)壓印成本低, 可印鏈路和支柱光柵圖案,客戶可根據(jù)不同規(guī)格來選擇。
防反光Anti-Reflective
是大面積和高性價(jià)比的功能標(biāo)準(zhǔn)郵票鎳具有漸變折射率分布,并與不斷變化的有效折射率。
多點(diǎn)模式Multi-Pattern
多模式標(biāo)準(zhǔn)壓印是的納米壓印工藝試驗(yàn)NIL設(shè)備和測(cè)試。本標(biāo)準(zhǔn)郵票帶有線寬下降到50nm。
亞微米Sub-Micro標(biāo)準(zhǔn)壓印
是的內(nèi)部納米壓印光刻技術(shù)和熱壓測(cè)試和工藝開發(fā)。壓印包含4種不同尺寸和4種不同的模式。
大面積支柱型壓印
大面積的支柱標(biāo)準(zhǔn)郵票是在硅谷高品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)的印章與光子晶體和防反射結(jié)構(gòu)的大面積圖案。它有4個(gè)區(qū)域,每次1cm x 1cm方形陣列的支柱。
Micro Test方形結(jié)構(gòu)陣列500nm
非常適合納米壓印光刻技術(shù)和熱壓領(lǐng)域內(nèi)工藝試驗(yàn)。壓印的特點(diǎn)是具有3,5,10和20微米大小的方形石柱/孔陣列
微型標(biāo)準(zhǔn)
是的內(nèi)部納米壓印光刻技術(shù)和熱壓測(cè)試和工藝開發(fā)。印模含有3種不同尺寸3個(gè)不同的圖案。

 

65-Stamps
線寬至100nm.
微型注射針頭結(jié)構(gòu)
The micro-needle standard stamp 針標(biāo)準(zhǔn)戳記包含的微針的逆結(jié)構(gòu) - 即微針形孔。微針標(biāo)準(zhǔn)戳記可用于生產(chǎn)微針或者通過熱壓印或鑄造。
Diffraction Grating衍射光柵
光柵的間距在這兩種情況下為500nm和光柵的平均深度為250nm。
   
 

 

 

 

 

納米壓印設(shè)備

 

CNI - Thermal NIL Tool

EZI - UV NIL Tool

NIL Simprint Core v2.1 - 仿真軟件

NILT CNI 實(shí)驗(yàn)用納米熱壓印機(jī)是專為實(shí)驗(yàn)室和研發(fā)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)和開發(fā)的簡(jiǎn)單易用、性能穩(wěn)定的研發(fā)型設(shè)備,用戶可以通過CNI設(shè)備高效、低成本地實(shí)現(xiàn)高精度的納米熱壓工藝,許多的研發(fā)機(jī)構(gòu)均購買了CNI的設(shè)備。NILT CNI熱壓設(shè)備,占地小、操作簡(jiǎn)便,可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的圖形復(fù)制,可實(shí)現(xiàn)納米熱壓設(shè)備的一切功能,而無需昂貴的工藝設(shè)備。

 

典型應(yīng)用:

  • 在硅片上制作納米級(jí)光柵

  • 壓印易碎的材料(例如III-V族材料)

  • 微結(jié)構(gòu)加工

  • 制作壓印印章

  • 保護(hù)母版的適用壽命

  • 熱壓高深寬比結(jié)構(gòu)圖形

主要性能:

  • 可加工4英寸以下任意尺寸襯底

  • 擁有技術(shù)的卡盤設(shè)計(jì),可保證快速升溫、降溫并保持良好的溫度均勻性。

EZImprinting(EZI)納米壓印技術(shù)平臺(tái)(NTP)是一個(gè)獨(dú)立的納米壓印站包括自動(dòng)釋放™功能的納米壓印模塊和自動(dòng)印記控制器。

 

  • PLC屏幕程序控制

  • 客戶可自由設(shè)置工藝參數(shù)

  • 晶圓與模板由真空卡盤固定

  • 兼容傳統(tǒng)的UV固化壓印膠工藝

  • 4“晶圓,壓印區(qū)域?yàn)?”

  • 壓印范圍:0 - 25PSI (可升級(jí)到100PSI)

  • 壓印模板尺寸: 5 x 0.090"

  • 產(chǎn)量預(yù)計(jì):<5分鐘/片

 

為了支援納米壓印用戶,節(jié)省了寶貴的時(shí)間在實(shí)驗(yàn)室上的印記參數(shù)的優(yōu)化,NILT提供Simprint仿真軟件。

該軟件提供了殘積層厚度
(RLT)的變化模擬,并協(xié)助確定工藝參數(shù)。

 

主要性能:

  • - 殘留層厚度模擬

  • - Fast full-chip 模擬

  • - 支援UV-NIL及熱壓NIL

  • - 模擬粗糙的基材的影響

 

 

Simprint Core v2.1 - 仿真軟件

 


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