產(chǎn)品型號(hào)

高真空單室熱蒸發(fā)系統(tǒng)

主要特點(diǎn)

系統(tǒng)主要由真空室系統(tǒng)蒸發(fā)室、蒸發(fā)源系統(tǒng)、樣品臺(tái)系統(tǒng)、 真空抽氣及測(cè)量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、膜厚測(cè)試 系統(tǒng)、上蓋液壓開啟機(jī)構(gòu)、電控系統(tǒng)組成。

技術(shù)參數(shù)

1、極限真空度5×10^-5Pa，系統(tǒng)漏率：1×10^-7PaL/S； 恢復(fù)真空時(shí)間：40分鐘可達(dá)6.6×10 Pa（短時(shí)間暴露 大氣并充干燥氮?dú)夂箝_始抽氣）
2、真空室：圓形真空室，尺寸300× 350mm
3、樣品臺(tái)：尺寸為3英寸×3英寸，厚度3.2mm的平面樣品；
4、金屬電極：數(shù)量：1支，標(biāo)準(zhǔn)型釬焊間接水冷結(jié)構(gòu)；直徑Φ20㎜，內(nèi)水冷；
5、有機(jī)束源爐：數(shù)量：3支，標(biāo)準(zhǔn)型600度控溫，向上蒸發(fā)成膜；
6、樣品架：在基片轉(zhuǎn)盤上有1個(gè)基片位置放置樣品托（樣品托可以分別放置2英寸）孔安裝加熱爐。為了在2英寸基片臺(tái)范圍內(nèi)提高膜厚均勻性，基片在鍍膜位置實(shí)現(xiàn)自轉(zhuǎn)。基片的溫度從室溫至600℃（硅片上表面的溫度，只需標(biāo)定一次即可）；
7、4套擋板系統(tǒng)：基片擋板與源擋板；靶擋板共有3套，動(dòng)密封手動(dòng)控制； 樣品擋板（１套），磁力撥叉；
8、手動(dòng)控制 氣路系統(tǒng):質(zhì)量流量控制器1路 石英晶振膜厚控制儀：膜厚測(cè)量范圍0-999999Å 可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)。

標(biāo)準(zhǔn)配件

可選配件